报告题目：半导体的奥妙

报告人：杨树

个人简介：微电子学院教授，博士生导师。主要从事宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题；提出了针对GaN器件的氮化界面层结构，有效抑制介质/GaN界面陷阱、提升器件可靠性。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子重点项目、功率半导体企业委托项目等。在IEEE EDL、IEEE T-PEL和功率半导体领域国际会议IEEE ISPSD、IEEE IEDM等发表SCI/EI论文80余篇。担任IEEE EDS Power Devices and ICs技术委员会委员，功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员（2019~2023），中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编，IEEE JESTPE客座编委。

报告题目：可穿戴机器人与自主系统

报告人：夏海生

个人简介：中国科学技术大学信息学院副研究员。上海交通大学博士，加拿大英属哥伦比亚大学、韩国首尔大学访问学者。主要研究可穿戴机器人与自主系统。主持国家自然科学基金、安徽省自然科学基金、中国博士后基金、安徽高校协同创新基金等项目，担任国家重点研发计划项目联系人。发表论文30余篇，授权发明专利7项、软件著作权8项。获得 OARSI Collaborative  Scholarship Award, IEEE ICARM Best Conference Paper Finalist、日内瓦发展银奖等奖项。担任IEEE RAS Neuro-Robotics Systems技术委员会委员，IEEE SMC Magazine专刊客座主编，Robotica专刊客座主编。